《行情匯總》10月價(jià)格漲勢明顯,NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)漲幅已累積高達(dá)53%,創(chuàng)新高!
據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket綜合價(jià)格指數(shù)顯示,10月NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)漲幅高達(dá)22%,其中TLC eMMC 16GB和32GB價(jià)格分別上漲22%、6%,TLC SSD 120GB和240GB價(jià)格則均上漲10%,Micro SDHC(UHS I) (CL10)16GB和32GB價(jià)格分別漲幅高達(dá)21%、29%。
從3月下旬NAND Flash漲價(jià)以來,2016年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)漲幅已累積高達(dá)53%,創(chuàng)歷史新高.
10月市場價(jià)格漲勢驚人主因還是因?yàn)槿?、東芝/SanDisk、美光、SK海力士等在2016年致力于由2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)換,導(dǎo)致2D NAND產(chǎn)能減少,3D NAND產(chǎn)能又優(yōu)先供給各廠商品牌SSD出貨,以及供應(yīng)給蘋果256GB容量機(jī)型,以至于市場NAND Flash供貨持續(xù)緊缺。
除了NAND Flash持續(xù)缺貨影響,三星Galaxy Note 7停售連鎖反應(yīng),也進(jìn)一步刺激了NAND Flash價(jià)格上漲。受Note 7停售影響,導(dǎo)致三星Q3營業(yè)利潤較預(yù)期減少23億美元,移動部門運(yùn)營利潤環(huán)比更是暴跌98%,預(yù)計(jì)未來兩季合計(jì)利潤還將損失30億美元,為了彌補(bǔ)Note 7造成的損失,三星勢必會調(diào)整Q4市場供貨策略。
就目前Memory市場而言,Mobile DRAM 和NAND Flash原廠供貨緊缺,需求端智能型手機(jī)和SSD容量需求卻翻倍增加,導(dǎo)致市場供不應(yīng)求。三星提高需求旺盛的DRAM和NAND Flash市場報(bào)價(jià),可有效的提高營收和利潤,這也讓NAND Flash價(jià)格漲勢更加迅猛。
不過,三星Fab 17和Fab 18(平澤廠)將分別在2017年Q1和Q2量產(chǎn),3D 技術(shù)也將提高到64層,SK海力士曾在財(cái)報(bào)中表示,年內(nèi)計(jì)劃銷售48層3D NAND以及加快72層3D NAND研發(fā)工作。隨著原廠3D NAND轉(zhuǎn)換完成,以及新工廠量產(chǎn),預(yù)計(jì)市場供貨緊張將會有所緩解,但仍需待實(shí)際供貨情況進(jìn)一步觀察。
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